Samsung‘un cep telefonları için geliştirdiği yeni jenerasyon yongaları teknoloji dünyasında heyecan yaratmaya devam ediyor. Şirket, daha evvelki modellerde karşılaşılan yüksek güç tüketimi problemlerini aşmayı hedefleyen, 3nm GAA (Gate-All-Around) teknolojisiyle üretilen yeni bir çipi tanıttı. Bu çip, Galaxy aygıtlarının gelecekteki versiyonlarında kullanılacak ve aygıtların daha süratli ve güç verimli çalışmasını sağlayacak.
Samsung, çipin tasarım ve performansını optimize etmek için Synopsys ile iş birliği yaparak, yapay zeka dayanaklı tasarım araçlarından faydalandı. Synopsys.ai tarafından sunulan bu araçlar sayesinde, çipin saat suratında 300MHz’lik bir artış ve güç tüketiminde yüzde 10’luk bir azalma sağlandığı varsayım ediliyor. Bu gelişmeler, Samsung’un taşınabilir teknoloji alanında attığı yenilikçi adımları gözler önüne seriyor.
Samsung Galaxy S25 o denli bir bilhassa gelecek ki rakipleri şimdiden tedirgin
Yeni 3nm GAA çipinin, daha karmaşık cep telefonu yonga gereksinimlerini daha güzel karşılamak maksadıyla Samsung’un ikinci kuşak 3nm GAA süreci (SF3) kullanılarak üretildiği düşünülüyor. Bu çipin, yakın gelecekte piyasaya sürülecek olan Galaxy Watch 7 yahut Galaxy S25 serisi telefonlarda kullanılması bekleniyor. Üretiminin başlamasıyla birlikte bu yeni dizaynın, geçmişte yaşanan problemleri ne derece çözdüğü de netlik kazanacak.
Samsung‘un bu yenilikçi adımı, taşınabilir teknoloji pazarında değerli bir yere sahip olacak üzere görünüyor. Şirketin geliştirdiği bu yüksek performanslı çipin, akıllı telefonlarda yeni bir devri başlatabileceği ve kullanıcı tecrübesini üst seviyeye çıkarabileceği öngörülüyor. Samsung’un bu teşebbüsü, taşınabilir teknolojideki ilerlemeleri destekleyen öteki teknoloji devleri ortasında da dikkat çekmekte ve daldaki yenilikçi yarışta kıymetli bir rol oynamaktadır.
